固态硬盘颗粒简介

固态硬盘颗粒体质排名：
SLC>MLC>TLC>QLC
固态硬盘颗粒介绍：
根据NAND闪存中电子单元密度的差异，可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储
单元）、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC（四层存储单元）。固态硬盘依靠闪存芯片
来存储数据，里面存放数据最小单位叫作“Cell”，SLC每个cell可以存放1bit数据，MLC
每个cell可以存放2bit数据，TLC每个cell可以存放3bit数据，而QLC可以存放4bit数据。
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比：
SLC（单层存储单元）
全称是Single-Level Cell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，SLC达到
1bit/cell，写入数据的时候电压变化区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以
上，但是由于成本最高，所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。
MLC（双层存储单元）
全称是Multi-Level Cell，使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，MLC达到
2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次左右，成本相对较高，但是对于
消费级来说也可以接受，多用于家用级高端产品中。
TLC（三层存储单元）
全称是Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，
由于存储密度较高，所以容量理论上是MLC的1.5倍，成本较低，但是P/E寿命相对要低
一些，理论擦写次数在1000-3000次不等，是目前市面上主流的闪存颗粒。
QLC（四层存储单元）
全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同
时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命
更短，理论擦写次数仅150次。
Q/A：
QLC颗粒好不好？
每一个Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但是同时会导致不同电压状态越
多，并且越难控制，所以采用QLC颗粒的固态，虽然容量更大价格更便宜，但是稳定性较
差，并且P/E寿命较低，速度最慢。
QLC NAND最大的优势就是在于成本更低，相同的成本下能够做出更大容量的SSD，容量将
不再受到限制，1TB容量对于QLC颗粒来说，都是小意思，几十到上百TB才是主流，大容
量固态硬盘时代开始了。但是对于P/E寿命和速度来说，这是QLC颗粒最大劣势之处。P/E
寿命的公式是擦写次数*容量/每天擦写量/365，但是QLC颗粒的固态硬盘容量都很大，假
设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘，每天擦写100G，也就是它的寿命=1024*100/100/365，约2.8年，
还有这个最大写入次数也是理论上的，超出不一定就100%坏了，关键电脑不可能每天打开，
也有休息的时候，加之每天不可能都擦写100G，所以它的寿命也是不用太担心的，等待固态硬盘坏了，
整台电脑也淘汰了。